سامسونج الكترونيكس تطرح وحدة ذاكرة 3-bit NAND

2015 04 07
2015 04 07

8* عالية الأداء لسوق الهواتف الخلوية بسعة 128 جيجابايت

عمان- صراحة نيوز – أعلنت سامسونج الكترونيكس، الرائدة عالمياً في مجال تكنولوجيا الذاكرة المتقدمة، عن وحدات ذاكرة عالية الأداء للهواتف الخلوية وهي مبنية على تكنولوجيا MultiMediaCard (eMMC) 5.0 المدمجة.

فوحدة الذاكرة 3-bit NAND بسعة 128 جيجابايت المبنية على eMMC 5.0 موجهة لسوق الهواتف الخلوية الذكية والأجهزة اللوحية.

وقال د. جونغ باي لي، نائب الرئيس لفريق أعمال الذاكرة والهندسة التطبيقية في سامسونج الكترونيكس: “من خلال تقديمنا لمجموعة وحدات الذاكرة 3-bit NAND والتي ترتكز على تكنولوجيا eMMC 5.0، نؤمن بقيادتنا لتوسعة نطاق التخزين الخلوي عالي الكثافة”، وأضاف “نحن مستمرون في تعزيز الجيل المقبل من حلولنا للذاكرة الخلوية مع تحسين الأداء ورفع الكثافة لتلبية طلب العملاء المتزايد في جميع أنحاء قطاعات الهواتف الخلوية”.

فيما تتحول الهواتف الذكية الرائدة والتي أصبحت بطور الانتقال لسعات تخزينة أعلى تصل إلى 128 جيجابايت اعتماداً على معايير (UFS) 2.0 أو 5.1 eMMC، ستكون الهواتف الذكية ذات المواصفات المتوسطة الآن قادرة على زيادة سعة التخزين ل 128 جيجابات. فوحدة ذاكرة سامسونج الجديدة 3-bit NAND eMMC 5.0 سعة 128 جيجابايت تعمل على تسريع هذا التحول مع الكثافة الأعلى في هذا المجال مع حلول eMMC 5.0.

وتصل سرعة القراءة في بطاقة eMMC 5.0 128GB إلى 260 ميغابايت في الثانية لقراءة البيانات المتتابعة، وهو نفس مستوى الأداء الذي تقدمه MLC NAND-based eMMC 5.1. ولعمليات قراءة البيانات العشوائية والكتابة، فإن وحدة الذاكرة تتمكن من التعامل مع ما يصل إلى 6،000 IOPS (عمليات الإدخال / الإخراج في الثانية الواحدة) و 5،000 IOPS على التوالي، وهو ما يكفي لدعم معالجة فيديو عالي الوضوح وميزات تعدد المهام المتقدمة. فسرعات IOPS تعد أسرع بما يقارب بأربعة وعشر مرات على التوالي، من بطاقات الذاكرة الخارجية النموذجية.

مع مجموعة سامسونج الجديدة 3-bit eMMC 5.0، وسعت سامسونج نطاق العمل ب 3-bit NAND من الأقراص الصلبة حتى مراكز البيانات، الخوادم ، أجهزة الكمبيوتر حتى سوق ذاكرة التخزين للأجهزة الخلوية بكامله. وسوف تستمر سامسونج بتوسيع نطاق تطبيق ذاكرة 3-bit NAND من خلال تطوير حلول ذات أداء عالي وكثافة مرتفعة، فضلا عن تعزيز القدرة التنافسية لأعمال وحدات الذاكرة.